イオン注入サービスとは ABOUT
日新イオン機器(株)では、自社開発を用いたイオン注入サービスを行っております。300mmウェーハを用いた最先端のシリコンデバイス向け注入の他、SiCやGaNデバイス向けの高温注入やVCSEL向け水素イオン注入も可能です。（小口径・小片への注入も対応しております。
また、アニール炉と表面抵抗測定器やドーズモニタ、パーティクル測定器を用いた注入評価も行っております。
お客様のデバイス開発等にご利用いただける環境を準備しておりますので、是非、当社イオン注入サービスのご利用をご検討ください。
当社では、
お客様のLSI製造ラインと同等のクリーンレベルの環境を実現しています。
ナノテクノロジー・ノードに向けたデバイス開発・実験等をサポートします。
イオン注入サービスの適用分野例
シリコンデバイス
高精度・高清浄度イオン注入
SiC & GaN & Ga2O3 パワーデバイス
Al+, Si+, Mg+ 注入
600℃までの高温注入が可能
GaN, SiC スマートカット
高濃度水素注入にてウェハを剥離
VCSEL (Vertical cavity surface emitting LASER)
高エネルギー水素注入
先端プロセス開発
特別なイオン種等を用いて新たな技術開発をサポートします。
特長 MERIT
高品質な注入サービス
- 最先端注入プロセスに対応可能な当社最新鋭のイオン注入技術によるイオン注入がご利用頂けます。（ウエハサイズ： 300mmφ ）
- 最先端注入プロセスに必要な質の高いイオン注入がご利用頂けます。
- “クラス１”クリーン・トンネル内でのクリーンな環境での注入サービスがご利用頂けます。
- ナノ・メーター・テクノロジーノードのデバイス開発、注入実験等を目的としたサポートを致します。
EXCEEDシリーズの特長
- ±0.5°以下のビーム平行度制御機能
- パラレルビーム
- 注入前の予想注入均一性チェック機能
- エネルギーコンタミネーションの完全除去機能
- Load Port FOUP
エンドステーションをクリーントンネルに接続し、クラス１の環境での注入処理が可能になりました。
IMPHEAT-IIの特長
- ウェーハ温度500℃までの高温注入
- アルミニウムイオン注入
- パラレルビーム
- ±0.5°以下のビーム平行度制御機能
- 注入前の予想均一性チェック機能
- エネルギーコンタミネーションの完全除去機能
注入可能なイオン種
8インチウェーハ対応装置では、半導体製造ラインで一般的に用いられるイオン種以外に、様々なイオン種の注入が可能です。
新しいデバイスの研究開発、あるいはデバイスに対する汚染評価等にご利用いただけます。
●：注入可能なイオン種
イオン注入シミュレーション
お客様ご要望のイオン注入分布を実現するために、イオン注入シミュレーションを行うことも可能です。
ご希望のイオン種・注入深さ・分布形状をお知らせください。専用シミュレーションにて検討いたします。
