FPD体製造用イオン注入装置
iG6 Ver.2
低温ポリシリコン薄膜トランジスタに代表される高精細ディスプレイ
駆動用薄膜トランジスタ製造における電気特性制御プロセスに不可欠な
イオン注入装置を提供します。
低温ポリシリコン薄膜トランジスタに代表される高精細ディスプレイ駆動用薄膜トランジスタ製造における電気特性制御プロセスに不可欠なイオン注入装置を提供します。
特長
- 世界中の量産工場で認められた高い装置信頼性
- 多様なドーパント、ワイド注入レンジ(チャネル～ソース・ドレイン)を1台でカバー
- 独自技術の高精度イオンビーム量計測システムと高精度ガラス基板
スキャン機構による高精度・高再現性を実現。 - 独自技術による異ドーパントレシピの短時間切替え
- 独自技術の質量分離不純物除去による高純度注入
- デュアルプラテン機構による注入中のガラス基板温度上昇の抑制
- 電荷中和システムによる注入中のガラス基板帯電(静電破壊；ESD)の
緩和
- 世界中の量産工場で認められた高い装置信頼性
- 多様なドーパント、ワイド注入レンジ(チャネル～ソース・ドレイン)を1台でカバー
- 独自技術の高精度イオンビーム量計測システムと高精度ガラス基板スキャン機構による高精度・高再現性を実現。
- 独自技術による異ドーパントレシピの短時間切替え
- 独自技術の質量分離不純物除去による高純度注入
- デュアルプラテン機構による注入中のガラス基板温度上昇の抑制
- 電荷中和システムによる注入中のガラス基板帯電(静電破壊；ESD)の緩和
主な仕様
対応ガラス基板サイズ
1,500 mm x 1,800 mm
ドーパント(イオン種)
B+、P+
イオンビームエネルギー
10～80 keV
実績
日本、中国、韓国、台湾のディスプレイパネルメーカーや研究所に
納入。
第6世代ガラス基板対応装置 iG6 iG6 Ver.2（世界シェア100%、
当社調べ。）
日本、中国、韓国、台湾のディスプレイパネルメーカーや研究所に納入。
第6世代ガラス基板対応装置 iG6 iG6 Ver.2（世界シェア100%、当社調べ。）
