エクステンション注入

ソースドレインに隣接してゲート端（チャネル端）に形成されるソースドレインと同導電型の不純物層のことをエクステンションと呼びます。広義には、従来ホットキャリ耐性の向上を目的として電界緩和の為に用いられていた低濃度層(LDD lightly doped drain)も含まれるが、現在は浅接合形成の為の高濃度層の事を指すことが多い。拡散を抑制しなければならないことに加え、浅い注入層が必要なことから、NMOSにはアンチモン(Sb)、PMOSにはインジウム(In)が使われることもある。