Geへのイオン注入

GeやSiGeは、電子移動度、正孔移動度の両方ともSiより大きいことから、Siの次の次世代チャネル材料として注目されている。Siと同じⅣ族材料であることからドーピングイオンはSiと同じであり、N型層形成のドナー原子として、V族元素 のリン(P)、ヒ素(As)が用いられ 、N型層形成のアクセプタ原子としてⅢ族元素のボロン(B) が用いられる。Siと異なるのは、拡散係数が非常に大きいことで、特にPやAsの拡散係数はBより2桁大きく浅接合の形成が困難である。