弊社の研究開発グループは、韓国で最大規模のフラットパネルディスプレイに関する
技術や材料等が報告される国際会議「iMiD 2024」（会期：2024年8月20日（火）～23日（金））
で報告したIGZO-TFT（薄膜トランジスタ）へのホウ素イオン注入特性に関する研究成果において、
「Best Poster Paper Award」を受賞しました。
本研究では、ホウ素イオン注入によるIGZO中の電子の生成率の検討、およびイオ
ン注入による高い微細加工性の可能性を報告いたしました。
今後もより多くのデータを集め、酸化膜半導体へのイオン注入技術の適応により、
お客様の発展と持続可能な社会の実現に貢献します。
【iMiD 2024の概要】
開 催 日 ： 2024年8月20日（火）～8月23日（金）
開催場所 ： 済州島
主 催 ：
・ The Korean Information Display Society (KIDS)
・ The Society for Information Display (SID)
【用語】
・IGZO
インジウム（In）、ガリウム（Ga）、亜鉛（Zn）、酸素（O）から構成される酸化物半導体の略称。
・TFT（Thin Film Transistor）：薄膜トランジスタ
半導体薄膜を使って作製したトランジスタで、ガラスやフィルムなどの絶縁膜基板上に製作し、
液晶や有機ELの表示に使用される。