InPへのイオン注入

InPは、レーザーや光デバイス材料として広く用いられている。GaAsと同じIII-V族半導体であるためドーピングイオン種は基本的にGaAsの場合と同じである。N型層形成のドナー原子として、Ⅳ族元素のシリコン(Si) , ゲルマニウム(Ge)、錫(Sn) やⅥ族元素 の硫黄(S), が用いられ 、P型層形成のアクセプタ原子としてⅡ族元素 のベリリウム(Be),マグネシウム(Mg), 亜鉛(Zn)が用いられる。また基板に結晶欠陥を導入し高抵抗化することで素子分離を実施するために水素(H)、ヘリウム(He)、アルゴン(Ar)のイオン注入が用いられる。