GaNへのイオン注入

窒化ガリウム(GaN Galium Nitraide)は、SiCと同じワイドバンドギャップ材料で、青色LEDの材料として広く用いられている。パワーは半導体材料としても高速、高耐圧用途で用いられる。N型層形成のドナー原子として、Ⅳ族元素 のシリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)が用いられ 、P型層形成のアクセプタ原子としてⅡ族元素のマグネシウム(Mg)が用いられる。N型のSi、Geは比較的簡単に活性化できるが、P型のMgは活性化するのが非常に困難で、高圧・高温アニールでの活性化が報告されている。