- 英語表記
- ion implantation into GaAs
GaAsは、高周波デバイスや光デバイス材料として広く用いられている。GaAsへのイオン注入は、N型層形成のドナー原子として、Ⅳ族元素のシリコン(Si) , 錫(Sn) やⅥ族元素 の硫黄(S), セレン(Se), テリウムT(Te）が用いられ 、P型層形成のアクセプタ原子としてⅡ族元素 のベリリウム(Be),マグネシウム(Mg), 亜鉛(Zn)が用いられる。また基板に結晶欠陥を導入し高抵抗化することで素子分離を実施するために水素(H)、ヘリウム(He)、アルゴン(Ar)のイオン注入が用いられる。