分離注入

隣接するトランジスタを電気的に分離する方法として、厚い酸化膜を形成するLOCOS(Local oxidation of silicon)や酸化膜を埋め込むトレンチ分離などの誘電体分離や、PN接合分離があります。誘電体分離では上部配線の電圧による反転防止、パンチスルー抑制の為にチャネルストップと呼ばれるソースドレインの逆導電型のイオンが注入されます。PN分離では、ソースドレインと逆導電型のイオンを注入し、逆バイアス状態にすることで電気的に分離します。また化合物半導体では、イオン注入により結晶欠陥を導入し高抵抗化することで電気的に分離する方式が使われます。