ハロー/ポケット注入

MOSトランジスタのソースドレインエクステンションを取り囲むように形成した、チャネルと同じ導電型で濃度の高い領域の事をHalo、またはポケットと言う。Halo構造によりチャネル両端の不純物濃度が高くなり、チャネル長が短くなるほど、寄与が大きくなる。その結果、従来はチャネル長が短くなるとしきい値電圧(Vth)が小さくなる短チャネル効果が発生しリーク電流の発生を引き起こしていたが、この構造により短チャネル領域ではVthが上昇する逆短チャネル効果が発生し、微細トランジスタでも所望のVthを維持できる。Halo構造は、ゲート電極形成後に、斜めイオン注入を行うことでセルフアラインで形成することができます。