チャネル注入

MOSトランジスタのゲート電極に電圧を印加していくと、チャネル領域に反転層が形成されソースドレイン間に電流（ドレイン電流）が流れる。ドレイン電流が流れ始める電圧の事をしきい値電圧(Vth: Theshold voltage)という。Vthは、ゲート電極の仕事関数、ゲート絶縁膜容量（絶縁膜の誘電率と膜厚で決まる）、基板濃度で決まる。Vthが低い場合は、ドレイン電流が大きくなる一方、トランジスタががオフ状態のときに流れる電流（漏れ電流、オフ電流）も大きくなる。チャネル注入は、Vthを決める注入の事であり、NMOSにはp型のドーパント、PMOSにはn型のドーパントが注入され、注入量が大きくなるとVthは高くなる。一つのLSIの中に、速度重視の低Vthトランジスタと待機時電流を小さくする高Vthトランジスタ、ゲー絶縁膜厚の異なる入出力トランジスタなど用途に応じて異なるトランジスタを形成する。これらの異なるVthのトランジスタはチャネル注入量を変えることで形成される。