スーパージャンクション

従来のパワーデバイスは、ドリフト層と呼ばれる低濃度層を形成し、空乏層を縦方向に延ばすことでオフ時の高耐圧を維持してきました。それに対し、スーパージャンクションは、P型、N型のカラムを周期的に並べることで空乏層を横方向にも伸ばす構造です。この構造によりN型ドリフト層（カラム層）の濃度を大幅に高くすることが可能となり、パワートランジスタのオン抵抗と耐圧のトレードオフのの関係を飛躍的に向上することができます。スーパージャンクションの製造は、溝を形成した後に逆導電型のシリコンを選択エピタキシャル成長させる方式と、多段のイオン注入によりカラムを形成する方法があります。