关于离子注入服务 ABOUT
日新离子机械株式会社利用自己的开发成果提供离子注入服务。除了使用300mm晶圆的尖端硅元件的注入之外，还提供SiC和GaN装置等的高温注入和VCSEL的氢离子注入等。(也可进行小口径和小片的注入。)
此外，注入评估也使用退火炉和使用表面电阻测定器、剂量监测器、质点测定器。
我们准备了能用于客户装置开发等的环境，因此请务必考虑使用本公司的离子注入服务。
我们已经实现了与客户的LSI生产线相当的无尘水平的环境。
支持纳米技术节点的装置开发和实验等。
离子注入服务的适用领域实例
硅元件
高精度和高洁净度离子注入
SiC&GaN&Ga2O3 功率器件
Al+、Si+、Mg+ 注入
可进行至600℃的高温注入
GaN、SiC 智能剥离
通过高浓度氢注入来剥离晶圆
VCSEL (Vertical cavity surface emitting LASER)
注入高能氢
开发尖端工艺
使用特别的离子种类等，支持新的技术开发。
特长 MERIT
高品质的注入服务
- 客户可利用本公司最新锐的离子注入技术进行离子注入。(晶圆尺寸：300mmφ)
- 客户可利用最先进的注入工艺进行高品质的离子注入。
- 客户可利用在“1级”无尘隧道中的无尘环境里进行的离子注入服务。
- 本公司支持纳米技术节点的装置开发和注入实验。
EXCEED系列的特长
- ±0.5°及以下的射束平行度控制功能
- 平行束
- 注入前的预想注入均一性检查功能
- 能量污染的完全去除功能
- Load Port FOUP
您可以利用把终端站连接到无尘隧道，在1级无尘环境中进行注入处理的服务。
IMPHEAT-II的特长
- 晶圆温度至500℃的高温注入
- 铝离子注入
- 平行束
- ±0.5°及以下的射束平行度控制功能
- 注入前的预想均一性检查功能
- 能量污染的完全去除功能
可注入的离子种类
在8英寸晶片对应装置中，除了半导体生产线中通常使用的离子种以外，还可以注入各种各样的离子种。
可用于新装置的研究开发，或者对装置的污染评估等。
●：可注入的离子种类
离子注入模拟
为了实现顾客要求的离子注入分布，也可以进行离子注入模拟。
请告知希望的离子种类、注入深度和分布形状。我们将通过专用模拟系统研究。
