サーマルウェーブ

イオン注入によって発生したダメージを検出する手法。基板にレーザー光を照射し、異なる波長のレーザー光で反射率を測定しその変化量をサーマルウェーブ値として表します。物質中に発生したダメージ（結晶欠陥）と反射率には強い相関関係があること、イオン注入量とダメージの間にも強い相関関係があることからイオン注入装置のQC管理、面内均一性評価等に用いられる。イオン注入後のアニール処理が不要なため、シート抵抗測定よりも簡略にQC管理が実施できる。しかしながら注入量が多くなるとサーマルウェーブ値は飽和する傾向にあるため比較的低注入量の領域で用いられる。