コンペンセイション

注入する領域の導電型と反対の導電型のドーパントを注入すことで導電型を変更する技術。一例としてPがドーピングされたN型のゲートpoly-SiのPMOS領域にBをイオン注入することでP型ゲート電極に変えるプロセスがある。導電型を変えるには、ターゲットのドーパント濃度の2倍のドーパント量を注入する必要があります。