コンタクト注入

トランジスタの寄生抵抗でコンタクト金属と半導体導電層との間の抵抗値。微細化が進むにつれ全体に対する寄与が大きくなってきている。コンタクト抵抗Rcは、exp(ΦB/√ND)/Areaに比例します。ここでΦBはメタルの仕事関数、NDは基板濃度、Areaはコンタクト面積です。微細化に伴い、コンタクト面積が小さくなり、仕事関数は一定の為、コンタクト開口後にイオン注入で高濃度層を形成すること、あるいは、ガリウム(Ga)イオンをコインプラすることで低抵抗化が実現されています。