- 英語表記
- Co-implantation
ドーパントと同時にドーパント以外のイオンを注入することで、ドーパントの拡散や活性化を制御する技術。Siの場合、ボロン(B)の拡散を抑制するために窒素(N)や炭素(C) を同時に注入する。過剰に導入された格子間N、C原子がBの拡散を抑制し浅い接合形成が可能となる。またフッ素(F)を注入した場合は、Bの拡散が増速されるが、不活性化も抑制される。Ge基板では、N型のドーパントであるPやAsの拡散が非常に大きいという問題があるがアルミニウム(Al)や錫(Sn)を同時に注入することで拡散が抑制できる。SiC基板においては、P型を形成するAlイオン注入と同時にCイオンを注入することで活性化率が向上する。