ゲッタリング

基板内に導入された重金属は、ゲート酸化膜に取り込まれ信頼性を劣化させたり、結晶欠陥を発生させ接合リーク電流を増加させる。意図せずに導入された重金属を捕獲する技術がゲッタリング技術です。ゲッタリング手法として、ウェハ裏面に多結晶シリコンを堆積したり、イオン注入によりダメージを導入したりする外部ゲッタリング(EG:Extrinsic Gettering)や、基板内部に酸素起因の微小欠陥(BMD:Bulk Micro Defect)を形成する内部ゲッタリング(IG:Intrinsic Gettering)が使われてきた。しかしデバイス形成時の熱処理温度が低温化して、金属の拡散長が短くなりゲッタリング効果が小さくなるという課題があり、これに対応するためにデバイス形成領域の近傍にゲッタリング領域を形成する近接ゲッタリング(PG:Proximity Gettering)が注目されている。PGは、イオン注入によゲッタリング領域を形成した後にエピタキシャル膜を形成する手法は、デバイスの高濃度拡散層内にゲッタリング領域を形成する手法などがあり、イオン種としては炭素や窒素が用いられる。