ゲート注入

CMOSトランジスタでは、NMOSにはN型のゲート電極、PMOSにはP型のゲート電極を用いるデュアルゲート構造が用いられます。ポリシリコン膜をゲート電極として用いる場合、イオン注入で打ち分けることにより所望の導電型にします。他の注入と異なる点としては、ゲート絶縁膜をイオンが突き抜け物理的ダメージを与えない注入条件に設定する必要があることと、ゲート電極側にも空乏層が拡がらないように(ゲート電極側にも空乏層が拡がると実効ゲート絶縁膜厚が厚くなり駆動能力が低下する）十分な濃度となるように高ドーズ注入が必要です。