- 英語表記
- Cluster ion implantaiton
数個から数1000個の原子からなるクラスターを加速して注入する技術。クラスターとしては、B原子が10個とH原子が14個からなるデカボラン(B10H14)、B原子が18個とH原子が22個からなるオクタデカボラン(B18H22)、数1000個の原子からなるガスクラスターなどがある。クラスターイオンは通常のモノマーイオンと比べて質量が大きい為加速エネルギーを高くできる結果多くのビーム電流を取ることが出来る。また電荷1個で多量の原子を輸送できることから空間電荷によるイオンビームの発散が抑制できるため非常に直進性の良いビームを得ることが出来る。