オン抵抗

トランジスタを動作させたときのソースとドレイン間の抵抗。LSIに用いられるトランジスタでは、ゲート電圧によりチャネル抵抗が変わるために可変抵抗となる。寄生抵抗としてさらにコンタクト抵抗、ソースドレイン抵抗、接合部のJFET抵抗がある。パワーデバイスにおいてもソースとドレイン間の抵抗であるが、その構成要素はチャネル抵抗、JFET抵抗、ソース抵抗、コンタクト抵抗とドリフト層抵抗である。オン抵抗は素子性能を表す重要な指標で、耐圧と相関関係がある。また素子面積を大きくすると抵抗値が下がるため素子面積を考慮した特定オン抵抗（specific on resistance)で表され単位はΩcm2。