3Dドーピング

イオンビームは非常に優れた直進性を持つが、デバイス構造の三次元化により当方的に均一にドーピングする技術が要求されています。finFETのfin領域やトレンチなどの高アスペクト比の構造に均一にドーピングする必要があります。3Dドーピングを実現する手段としては、プラズマドーピングや不純物をドーピングした膜からの固相拡散などがあります。