磁場スキャン

スポットで輸送されてきたイオンビームを、注入するウェーハの大きさに応じて走査（掃引、スキャン、スイープ）するために、磁場を用いる方法をさす。磁場中を運動するイオンに作用するローレンツ力（フレミングの左手の法則の向きに作用）を用いて、イオンビームを走査する。電場を用いた静電スキャンと比較して、イオンビームと電子が分離されにくい特性があり、イオンビームの発散の要因となる空間電荷効果の観点では有利となるため、低エネルギー・大電流のビーム走査に適している。また、イオンビームが中性化した中性粒子の注入を避けるため、磁場が0の領域を注入に用いず、オフセットをかけた磁場を用いる場合もある。