レーザーアニール

弊社のイオンドーピング装置は、LTPS (Low Temperature Polycrystalline Silicon)上でのTFT形成に使用されているが、アモルファスシリコン膜を多結晶状態に変えるのために、（パルス）レーザーアニールが使用される。特にSi膜への反射率が大きくない短波長のエキシマレーザーを用いたELA(Excimer Laser Annealing)を使用することが多い。
一方、イオンドーピング後の活性化プロセスでは、アニール温度は350℃程度であり、上記結晶化プロセスのアニールとは異なる。