イオン注入における注入角度精度

デバイスの微細化など、半導体プロセスの変化に伴い、イオン注入における注入角度への要求精度も、より厳しくなってきています。

イオン注入における注入角度については、ウェーハとビームの間の様々な角度の組み合わせで決まっており、具体的には、次のようなパラメータが関係すると思われます。



（１）ウェーハの機械的な位置

○チルト角　　○Yチルト角　　○ツイスト角

ウェーハの機械的な位置　については、搬送系、注入のための駆動ユニットなどにより、角度精度が定まります。



（２）注入するイオンビームの方向

○ビームの入射角　　○ビーム発散角　　○ビーム平行度

注入するイオンビームの方向　については、輸送制御システムによって角度精度が定まり、例えば、ビーム計測系による平行度測定などによっても、確認することができます。



上記の種々の因子によって定まった注入角度による半導体デバイスへの影響は、最終的には、デバイス特性上に現れます。

しかし、特定の注入条件・ウェーハ種を用いれば、注入ドーズ量をモニタできるウェーハ検査・測定のシステムを利用して、定量的に注入角度の影響をつかむことができます。