不純物揺らぎ

微細化により、トランジスタのチャネル長(L)、チャネル幅(W)ともにスケーリングされる結果、チャネルに存在するドーパント数は数個レベルとなり、統計的ばらつきに基づいた離散分布となる。その結果、トランジスタのしきい値電圧(Vth)のばらつきを引き起こす。この統計的なばらつきのことを不純物揺らぎと言う。不純物やらぎは薄膜SOIやfii構造のように、不純物を導入しないIntrinsicチャネル構造にすることで回避できる。