二次欠陥

熱処理により発生する結晶欠陥。イオン注入後の熱処理では、過剰な格子間原子の発生による転位ループや、酸素誘起積層欠陥(OSF：Oxidation Induced Stacking Faults)などがある。高濃度イオン注入によりアモルファス層が形成された場合、これらの欠陥がイオン注入の飛程の少し深い位置であるアモルファス/単結晶界面に発生するためEOR(End of range)欠陥と呼ばれる。また、結晶中に導入された重金属によりこれｒの欠陥が発生しやすくなると言われている。二次欠陥はキャリアの生成再結合中心となり接合リーク電流を引き起こす。