低温注入

基板を-30℃程度以下に冷却しながらイオン注入する技術。基板を冷却して注入すると結晶がアモルファス化しやすくなると同時に、アモルファス層/結晶Si界面もスムースになる。空孔/格子間原子ペアが多量に発生することから、アニールにより結晶回復しやすくなる。またアモルファス層が厚くなるという特徴を有する。高濃度イオン注入後にアニールで結晶回復した場合、イオン注入の飛程より少し深い位置に欠陥が残留（End of Range欠陥：EOR欠陥）しやすいが、低温注入した場合、アモルファス層が厚くなり、EOR欠陥が発生する領域もアモルファス化されるために、残留欠陥が少ないという特徴を有する。低温注入は主に1E15/cm2程度以上の高濃度注入に用いられることが多い。