多段注入

エネルギーを順に変化させて深さ方向にプロファイルをもつ不純物分布を形成する技術。CMOSでは、各深さにそれぞれの分布でデバイス特性を最適化するプロフィルドウェルの形成に用いられる。SiCでは、基板中のドーパントの拡散が極めて小さい為、多段注入でボックスプロファイルを形成するのに用いられる。すでに注入されたドーパントが、その後に注入されるイオンと衝突しノックオンされることを回避するため、エネルギーの高いほうから低いほうに順に注入するのが一般的です。