増速拡散

熱処理過程において通常の拡散よりも速い速度で拡散する現象。酸化やシリサイド化で過剰な格子間シリコン原子が供給された場合、ドーパントは過剰シリコンとペアを組んで通常よりも速い速度で拡散します。イオン注入では、過剰な格子間シリコンからなる{311}欠陥との相互作用により、ドーパントが異常拡散することが知られている。この現象を過渡増速拡散(TED:Transient Enhanced Diffusion)と言う。