イオン注入ディクショナリーIon Implantation dictionary

プロセスに関連する用語

一次欠陥

英語表記
Primary defect

注入されたイオンは、物質中の電子や格子原子との衝突を繰り返しながらエネルギーを失って停止する。格子原子との衝突では、衝突した原子は格子位置から弾き飛ばされると同時にエネルギーを受け取り、再び格子原子と衝突するカスケード現象を繰り返す。衝突により弾き飛ばされ結晶格子中にできた欠損のことを空孔(Vacancy)、弾き飛ばされ格子間に存在する原子の事を、格子間原子(Interstitial)と呼び1個のイオン注入で数100から数万個発生する。これらの空孔や格子間原子、およびそれらの複合体の事を一次欠陥あるいは点欠陥と言う。これらの一次欠陥は、格子原子とペアを組んで非常に速い速さで拡散することが知られている。