メタルコンタミ

プロセス中に意図せずウェハ中に導入される金属汚染。ウェハ中に導入された金属は、ゲート絶縁膜の信頼性を劣化させたり、結晶欠陥発生を誘起しキャリアの生成再結合中心となり接合リーク電流を増加させる。接合リーク電流が問題となるDRAMやイメージセンサーにおいては、金属汚染の低減が要求されている。イオン注入プロセスでの金属汚染は、注入イオンと質量分析器やエネルギーフィルターで同一の軌道を通る成分、ビームラインからのスパッタ成分、イオン源からの拡散成分などがあり、徹底的に対策されている。金属汚染量の分析には、全反射蛍光X線分析(TXRF: Total Reflection X-ray Fluorescence)やICP質量分析法(ICP-MS :Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry:ICP-MS)が用いられ1E8/cm2程度までの微量金属の分析が可能。