プリアモルファス化

浅い接合形成において、チャネリング現象により分布がテールを引くことを回避するために、ドーパントの注入前に結晶をアモルファス化(非晶質化）するプロセス。質量数が大きい元素のほうが少ない注入量でプリアモルファス化できること、電気特性に影響を与えないことからSiデバイスではSiやGeイオンが用いられる。結晶回復プロセスが重要で、ドーパントとの位置関係が重要なパラメータになる。