- 英語表記
- Smartcut™
水素(H)やヘリウム(He)などの軽イオンを高濃度でイオン注入し、熱処理を加えて物質を剥離する技術。SOI(Silicon on Insulator)ウェハの作成に用いられる。表面にシリコン酸化膜を形成したシリコンウェハに水素イオンを深さ数μmの深さに3E16/cm2から1E17/cm2程度の注入量で注入し、表面がシリコン酸化膜のシリコンウェハと張り合わせ熱処理を加えることにより水素注入層で剥離させる。その後CMP等で表面を平坦化することでSOIウェハが完成する。剥離後のウェハは、ドナーウェハとして再利用が可能である。近年はⅢ-Ⅴ族材料とSi基板の異種接合や、パワー素子用途のSiC、GaNウェハ、高周波フィルター用のLiNbo3、LiTiO3などのセラミック基板などの剥離プロセスとしても用いられている。