スケーリング則

1974年にIBMのR. Denardによって提唱された、MOSFETの微細化ルール。スケーリング係数をkとして、ゲート長、ゲート酸化膜厚などの物理パラメータを1/k、電源電圧などの動作条件を1/kにすると、トランジスタの速度(遅延時間)は1/kになり、消費電力は1/k2になるという、トランジスタの微細化の指針で、この法則に従って微細化が行われてきた。イオン注入に関連する項目としては、接合深さXjは1/k、基板不純物濃度はk倍になる。しかしながら微細化が進むと、Vthなどのスケーリングできない項目があるため性能向上が進まない結果となり、歪印加等のブースター技術が取り入れられ高性能化が維持されている。