イオン注入

加速し、エネルギーを持たせたイオンを、半導体ウェーハ（基板）などに照射すると、エネルギーに応じた深さで、ウェーハ中にイオンを打ち込むことができる。半導体製造における前工程では、このようなイオン注入を用いることにより、B、P、As、In、Sbなどを、デバイス構造の特定の深さに打ち込むことで、ウェーハ（主にシリコン）中に形成されたデバイス構造各部において、適切な量の不純物導入を行うことができ、半導体デバイス特性の制御を再現良く行うことが可能となる。