イオン注入によるSiC CMP性能向上技術でポスター賞を受賞　― 半導体国際会議にて高い評価 ―

2025年10月8日から10日にかけて東京にて開催された半導体インターコネクトおよび先端パッケージング分野の国際会議「ADMETA2025（Advanced Metallization Conference 2025）」において、当社研究員の内田裕也がPoster Awardを受賞いたしました。
受賞対象となったのは、「Enhancement of CMP Removal Rate of SiC by Ion Implantation」と題するポスター発表であり、イオンビームによる材料改質技術が、SiCウェハのCMP（Chemical Mechanical Polishing）における除去レートを向上させる効果を有することを、実験的に実証したものです。本研究は、硬質材料であるがゆえに加工に多大な時間とコストを要するSiCに対し、酸化剤を用いることなく研磨速度の向上を実現し得る新たな手法として、高い評価を受けました。
当社は今後も、先進的かつ独創的な製造装置の開発を通じて、世界の半導体産業の発展に貢献するとともに、お客様の事業価値向上および持続可能な社会の実現に寄与してまいります。