企業情報

沿革

沿革

1973年 日新電機株式会社、HVEE (High Voltage Engineering Europe)社と技術提携
1974年 イオン注入装置生産開始
1978年 200kV中電流イオン注入装置開発
1980年 ウェスタンエレクトリック(現AT&T) 30kV大電流イオン注入装置の技術導入
1981年 200kV中電流イオン注入装置(ベルト搬送エンドステーション)"NH-20C"開発
1982年 200kV大電流イオン注入装置"PR-200"開発
1983年 イオン機器事業部設置
1984年 中電流イオン注入装置"NH-20S"のフルオート、デュアルエンドステーション"NH-20SD"発売
1985年 80kV大電流イオン注入装置"PR-80"発売
1986年 久世工場新設・移転、回転注入エンドステーション開発
1987年 新型中電流イオン注入装置"NH-20SR"発売
1988年 新型大電流イオン注入装置"PR-80A"、新型デュアルエンドステーション"NH-20SDR"発売
フラットパネルディスプレイ用イオン注入装置事業を開始
1989年 8インチパラレルビーム中電流イオン注入装置"NH-20SP"開発
量産用400kV中電流イオン注入装置"NH-40SR"納入
1990年 低温ポリシリコンTFT(LTPS-TFT)ディスプレイ用イオン注入装置(イオンドーピング®)の1号機を納入
1991年 8インチ大電流イオン注入装置"EXCEED8000"開発
1993年 回転注入機構付き中電流イオン注入装置で"市村産業賞"受賞
1994年 新型中電流イオン注入装置"EXCEED2000"開発
量産用500kV中電流イオン注入装置"NH-50SR"開発
1996年 LTPS-TFTディスプレイ用イオン注入装置(イオンドーピング®)納入本格化
1997年 英国(スコットランド)に日新電機欧州会社設立
1998年 改良型8インチパラレル中電流イオン注入装置"EXCEED2000A"発売開始
LTPS-TFTディスプレイ用イオン注入装置(イオンドーピング®)"ID5600""ID6700"を納入開始
1999年 300mmウェハ用イオン注入装置"EXCEED2300"顧客評価開始
日新電機株式会社より製造移管を受け"日新イオン機器株式会社"設立
2000年 量産用300mmウェハ用イオン注入装置"EXCEED2300"納入開始
2001年 台湾に合弁会社"日亞聯合離子機器股份有限公司"設立
中国(上海)に駐在員事務所開設
2002年 韓国に合弁会社"日新イオンコリア株式会社"設立
中国(上海)に合弁会社"日亞意旺机械(上海)有限公司"設立
シンガポールに日新イオン機器株式会社"シンガポール支店"開設
2003年 資本金を4.9億円から15億円に増資
2004年 新型300mmウェハ用イオン注入装置"EXCEED3000AH"発売開始
第4.5世代基板サイズ(730mm×920mm)のLTPS-TFTディスプレイ用イオン注入装置"iG4"を納入開始
2005年 滋賀県甲賀市に滋賀事業所・プラズマ技術開発センターを開設
日新電機株式会社より製造移管事業に関する営業権譲渡を受ける
2007年 注入エネルギー領域を最大960KeV迄拡大した300mmウェハ用イオン注入装置"EXCEED9600A"発売開始
2008年 世界初のクラスターイオンビームを用いたハイブリット型イオン注入装置"CLARIS"発売開始
2010年 米国(テキサス州)に100%子会社として"NISSIN ION EQUIPMNET USA, Inc."設立
2011年 中国江蘇省揚州市に100%出資の生産子会社として"日新意旺高科技(揚州)有限公司"を設立
世界初の第5.5世代基板サイズ(1300mm×1500mm)対応のLTPS-TFTディスプレイ用イオン注入装置"iG5"を開発、納入
世界初の第6世代基板サイズ(1500mm×1800mm)対応のLTPS-TFTディスプレイ用イオン注入"iG6"を開発・納入
滋賀事業所に工場第二棟を増築
米国子会社"NISSIN ION EQUIPMNET USA, Inc."に研究開発組織を新設、拠点をマサチューセッツ州ボストン近郊に設置

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