2025年10月8日至10日，在东京举办的半导体互连及先进封装领域国际会议“ADMETA2025（Advanced Metallization Conference 2025）”上，本公司研究员内田裕也荣获Poster Award（海报奖）。
本次获奖工作为题为《Enhancement of CMP Removal Rate of SiC by Ion Implantation》的海报发表。该研究通过实验验证了利用离子束进行材料改性技术，可显著提升SiC晶圆在CMP（化学机械抛光）过程中的去除速率。
该研究针对SiC作为一种高硬度材料，在加工过程中通常需要耗费大量时间和成本的问题，提出了一种无需使用氧化剂即可提高抛光效率的全新方法，并因此获得了高度评价。
本公司今后也将持续推进先进且具有原创性的制造设备开发，为全球半导体产业的发展作出贡献，同时为提升客户的业务价值以及实现可持续社会做出积极贡献。