我们的研发团队在韩国规模最大的关于平板显示器技术与材料的国际会议 iMiD 2024（会议日期：2024年8月20日（周二）至8月23日（周五））中，
发表了关于 IGZO-TFT（薄膜晶体管）中硼离子注入特性的研究成果，并荣获了 “最佳海报论文奖（Best Poster Paper Award）”。
在本研究中，我们探讨了硼离子注入对 IGZO 中电子生成率的影响，并报告了离子注入技术在高精度加工中的潜在应用前景。
未来，我们将继续收集更多数据，通过将离子注入技术应用于氧化物半导体领域，助力客户发展并为实现可持续社会贡献力量。
iMiD 2024概况
举办日期：2024年8月20日（周二）至8月23日（周五）
举办地点：济州岛
主办单位：
韩国信息显示学会（The Korean Information Display Society, KIDS）
国际信息显示学会（The Society for Information Display, SID）
官方网站
术语解释
IGZO：氧化物半导体的简称，由铟（In）、镓（Ga）、锌（Zn）和氧（O）组成。
TFT（薄膜晶体管）：利用半导体薄膜制造的晶体管，可在玻璃或薄膜等绝缘基板上制造，主要应用于液晶显示器和有机EL显示器的面板中。