本公司(总部：京都市南区，董事长：长井宣夫)与日新电机株式会社(总部：京都市右京区，董事长：松下芳弘)的共同研究开发团，这次在报告关于最前沿平板显示器(FPD)技术和材料等的国际会议“AM-FPD’22”[会期：2022年7月5日(周二)～7月8日(周五)]上，就去年在该国际会议上发表的“氩离子注入非晶态IGZO之特性”的研究成果，获得了“AM-FPD’21 Poster Paper Award”奖。这是继去年之后连续2年获奖。
离子注入的惰性气体离子深度方向分布的分析至今人们认为十分困难，而本项研究确立了其分析方法。重视作为惰性气体离子被一般性使用的氩离子，对现在的等离子体辐射方法和离子注入方法的热稳定性进行了比较。我们认为，从结果看，离子注入方法证明了直到IGZO膜的深层也得以低电阻化，且其状态即使在高温环境中也能维持，这得到评价，以致本次获奖。
这项研究建立了一种分析离子注入惰性气体离子深度分布的方法，这在以前被认为是很困难的。 以通常作为惰性气体离子的氩离子为重点，比较了离子植入法与目前等离子体辐照法的热稳定性。 因为我们证明了，离子注入法证明了IGZO薄膜深处被低电阻化，而且即使在高温环境下也能保持这种状态而获奖。
本成果，作为使用平板电脑和笔记本电脑，显示器为代表的氧化物半导体，对中·大型平板显示器的高精细化技术发展做出很大贡献。今后，以TFT工艺的量产技术被采用为目标，今后将进一步推进研究开发。
获奖内容：AM-FPD ’21 Poster Paper Award
获奖题目：Characteristics of argon-ion-implanted amorphous-InGaZn
举行日：2022年7月5日(周二)～7月8日(周五)
举行场所：龙谷大学 响都大厅校友会馆、线上(混合形式举行)
主办：一般社团法人 功能性薄膜材料装置国际会议(FTFMD)
概要：在FTFMD主办下召开的国际会议。自1994年举办以来，每年都举行，作为有源矩阵FPD的TFT技术和显示器材料等的国际学会，为从事系统、装置、工艺、FPD、薄膜装置、太阳能发电材料的研究开发人员提供了重要的机会。
＜参考＞
【术语解说】
· IGZO
由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)构成的氧化物半导体的简称。
· 氩
原子号码18号元素。为惰性气体的一种，几乎不引起化学反应。
· 深度方向分布
在对薄膜进行处理后，到怎样程度的深度为止使性质发生变化的分布。在离子注入时，可通过计算进行预测。
· 低电阻化方法
为了制作TFT，需要将某个领域设置为102～106Ω/☐，在离子注入之外，采用等离子体辐射和激光辐射等各种方法。
· TFT(Thin Film Transistor)：薄膜晶体管
使用半导体薄膜制作的晶体管，在玻璃和薄膜等的绝缘薄膜衬底上制作，用于液晶和有机EL等的显示。
· 惰性气体
氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)这6种元素的统称。