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パワー半導体製造用高温イオン注入装置「IMPHEAT-Ⅱ」の納入開始 ~SiCパワー半導体の市場拡大を受け生産性を約3倍向上~

日新イオン機器株式会社(本社:京都市南区、社長:長井宣夫)は、電気自動車や情報通信機器などの用途への利用拡大が見込まれるSiCパワー半導体市場の拡大を受け、従来装置より生産性を約3倍向上させた高温イオン注入装置「IMPHEAT-Ⅱ」の納入を開始しました。
詳細情報につきましては、こちらをご覧ください。


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