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多原子分子イオン（クラスターイオン）をイオン化し注入する新しい注入技術。主に以下の技術的メリットがある。 |
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ひとつのイオンに含まれる注入原子数が多いため、従来の単原子注入に比べ等価的に高いビーム電流で注入が可能。 |
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単原子注入と比べてイオンの注入エネルギーを高くすることができるためビームの発散が抑えられ、極低エネルギー注入でも高精度な注入制御が可能。 |
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イオン注入と同時に自己アモルファス層を形成するため、アニール後の結晶欠陥回復がよく、数々のプロセスメリットが確認されている。 |
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0.2〜7 keV(B+等価) |
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20 mA |
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9E12〜3.6E16 cm-2 |
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200 mm、300 mm |
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