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(1) |
最先端注入プロセスに対応可能な弊社最新鋭のイオン注入技術によるイオン注入がご利用頂けます。（ウエハサイズ： 300mmφ 、 200mmφ） |
| (2) |
最先端注入プロセスに必要な質の高いイオン注入がご利用頂けます。 |
| (3) |
“クラス１”クリーン・トンネル内でのクリーンな環境での注入サービスがご利用頂けます。 |
| (4) |
ナノ・メーター・テクノロジーノードのデバイス開発、注入実験等を目的としたサポートを致します。 |
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(1) |
パラレルビーム |
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±0.5°以下のビーム平行度制御機能 |
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注入前の予想注入均一性チェック機能 |
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エネルギーコンタミネーションの完全除去機能 |
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Load Port FOUP |
エンドステーションをクリーントンネルに接続し、クラス１の環境での注入処理が可能になりました。
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お客様のLSI製造ラインの一部としてご利用頂ける環境を整えております。 |
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