イオン注入ディクショナリー

イオン注入装置用語(基本)

イオン注入

用語説明:イオン注入 / ion implantation

同義語:イオン打込み    関連語:-

加速し、エネルギーを持たせたイオンを、半導体ウェーハ(基板)などに照射すると、エネルギーに応じた深さで、ウェーハ中にイオンを打ち込むことができる。

半導体製造における前工程では、このようなイオン注入を用いることにより、B、P、As、In、Sbなどを、デバイス構造の特定の深さに打ち込むことで、ウェーハ(主にシリコン)中に形成されたデバイス構造各部において、適切な量の不純物導入を行うことができ、半導体デバイス特性の制御を再現良く行うことが可能となる。

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